功能描述:IGBT 晶体管
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor
配置:
集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V
集电极—射极饱和电压:2.3 V
栅极/发射极最大电压:20 V
在25 C的连续集电极电流:150 A
栅极—射极漏泄电流:400 nA
功率耗散:187 W
最大工作温度:
封装 / 箱体:TO-247
封装:Tube
SGH15N120RUF
SGH15N120RUFD
SGH15N120RUFDTU
SGH15N120RUFTU
SGH15N60RUF
SGH15N60RUFD
SGH15N60RUFDTU
SGH15N60RUFTU
SGH20N120RUFD
SGH20N120RUFDTU
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